高速回復ダイオード

ファストリカバリダイオードの内部構造は、PIN接合ダイオードに属する通常のPN接合ダイオードとは異なり、P型シリコン材料とN型シリコン材料の中間にベース領域Iを追加してPINシリコンウェハを形成します。ベース領域が非常に薄いため、逆回復電荷が非常に小さく、ファストリカバリダイオードの逆回復時間が短く、順方向電圧降下が低く、逆ブレークダウン電圧（耐電圧値）が高くなります。