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FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23 FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23 FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
FDV305N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23

tYPE: Nチャンネル

VDSS:20V

Id:0.9A

RDS(オン)@VGS、 私D:170mΩ@4.5V、0.9A

Vgs(th)@Id: 1V@250μA


製品詳細

我々の利点
中国の製造プロセスは何年にもわたって反復され、その結果、成熟した信頼性の高い技術が生まれました。多くの国際企業は中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% において主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、高い品質の一貫性、リーズナブルな価格、豊富な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、そして専門的なアフターサービスを誇ります。 


概要

FDV305N Nチャネル拡張 MOSFETコンパクトな SOT-23 パッケージに収められた FDV305N は、さまざまな電子アプリケーションで効率的なスイッチングと制御を実現するように設計されています。低いゲートしきい値電圧と低いオン抵抗で信頼性の高いパフォーマンスを提供するように設計された FDVXNUMXN は、スペースが限られており、電力に敏感な設計に最適です。

特徴

● トレンチパワーLV MOSFET テクノロジー

● 低RDSを実現する高密度セル設計(に)

● 高速スイッチング


アプリケーション

●バッテリー保護 

●ロードスイッチ 

● 電源管理



FDV305N SOT-23_0.jpg


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