● 説明:

これらの N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、高度なトレンチ テクノロジー設計を採用し、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現しました。これは RoHS 標準に準拠しています。

● 機能と特徴：

● V_DS = 30V、私_D = 150A

● R_DS（ON），2.8 mΩ(標準) @ V_GS = 10V

● R_DS（ON），4.4mΩ(標準) @ V_GS = 4.5V

● 高度なトレンチテクノロジー

● 優れたRDS(ON)と低いゲート電荷を実現

● 鉛フリー製品を取得

● 応用：

● 負荷スイッチ
● PWMアプリケーション
● パワーマネジメント