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● 説明:
このNチャネル MOSFET 最大ドレイン-ソース電圧（VDSS）30Vの耐電圧を備え、幅広い電子機器アプリケーションに最適です。最大連続ドレイン電流（Id）6A、消費電力（Pd）2Wの高出力で、効率的な電力処理と熱安定性を確保します。低RDS（オン） Vで19mΩgs 10VのIdと5.6AのIdは最小限の伝導損失を保証し、ゲートソースしきい値電圧（Vgs(th)）はわずか 1V、250μA なので、駆動と制御が容易になります。
● 機能と特徴：
● 高出力および電流処理能力
● 鉛フリー製品を取得
● 表面実装パッケージ
● 応用：
● バッテリ保護
● ロードスイッチ
● パワーマネジメント
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