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ファストリカバリダイオードの内部構造は、PIN接合ダイオードに属する通常のPN接合ダイオードとは異なります。つまり、P型シリコン材料とN型シリコン材料の中間にベース領域Iが追加されてPINを形成します。シリコンウエハー。ベース領域が非常に薄いため、逆回復電荷が非常に小さいため、ファストリカバリダイオードの逆回復時間が短く、順方向電圧降下が小さく、逆方向耐圧（耐圧値）が高くなります。
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