炭化珪素SiCデバイスはSiデバイスに比べてドリフト層のインピーダンスが低く、導電率変調のないMOSFET構造により高耐圧・低インピーダンスが実現できます。また、MOSFETは原理的にテール電流が発生しないため、IGBTからSiC-MOSFETに置き換える場合、スイッチング損失の大幅な低減や放熱部品の小型化が可能になります。さらに、SiC-MOSFETの動作周波数はIGBTよりもはるかに高く、回路のインダクタ・コンデンサ部品が小さくなり、システムの小型軽量化を容易に実現できます。同じ600V～900V耐圧のSi-MOSFETと比較して、SiC-MOSFETのチップ面積が小さく、より小型のパッケージで使用でき、ボディダイオードのリカバリ損失が非常に小さいです。現在、SiC MOSFETは主にハイエンドの産業用電源、ハイエンドのインバータとコンバータ、ハイエンドのモータドラッグと制御などに使用されています。