シリコンSBDの最大耐圧が600V程度であるのに対し、SiC SBDは高周波ショットキーバリアダイオード構造により200Vを超える高耐圧を実現し、オン電圧降下もシリコンファストリカバリダイオードに比べて大幅に低くなります。シャットダウン回復時間が短いため、シャットダウン損失が低くなり、結果として電磁干渉 EMI が低くなります。主流製品であるシリコンファストリカバリダイオードFRDをSiC SBDに置き換えることで、トータル損失を大幅に低減し、電源効率を向上させるとともに、高周波動作によりインダクタやコンデンサなどの受動部品の小型化を実現します。 、電磁干渉EMIが低くなります。炭化ケイ素SBDは、エアコン、電源、太陽光発電システムのインバータ、電気自動車のモータードラッグシステム、急速充電器などに幅広く使用できます。