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SL8N65F 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ SL8N65F 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ SL8N65F 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ
SL8N65F 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ

tYPE: Nチャンネル

VDSS:650V

Id:8A

RDS(オン)@VGS、 私D: 1.1mΩ@10V、3.5A

Vgs(th)@Id: 2V@250μA


製品詳細

我々の利点
中国の製造プロセスは何年にもわたって反復され、その結果、成熟した信頼性の高い技術が生まれました。多くの国際企業は中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% において主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、高い品質の一貫性、リーズナブルな価格、豊富な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、そして専門的なアフターサービスを誇ります。 


概要

SL8N65Fは高電圧Nチャネルエンハンスメントです MOSFET 要求の厳しい電力アプリケーション向けに設計されています。堅牢なTO-220Fパッケージに収められたこの MOSFET 高電圧定格、低オン抵抗、および十分な電流処理能力により、優れたパフォーマンスを発揮します。電源、スイッチング レギュレータ、およびその他の高電力電子回路での使用に最適です。


特徴

● 高速スイッチング

● 低オン抵抗

● 低いゲートチャージ

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト


アプリケーション

● アダプタと充電器の電源スイッチ回路。


SL8N65F TO-220F_0.jpg


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