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IGBTパワーモジュールは、通常、複数のIGBTチップと高出力ダイオードチップを単一のヒートシンク構造にパッケージングしたものです。IGBTパワーモジュールは、様々な電気トポロジーに対応できます。パワーモジュールを使用することで、高出力パワーエレクトロニクスシステムの回路レイアウトと構造設計の難易度が軽減され、システムサイズが縮小され、システムの信頼性が向上します。
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| VCE(V) | IC@TC=100℃(A) | PD@TC=25℃(W) | TJ(℃) | パッケージ |
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| 詳細説明 | Title | ダウンロード |
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