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製品概要

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2N7002DW N チャネルエンハンスメント MOSFET SOT-363

tYPE: Nチャンネル

VDSS:60V

Id:800mA

RDS(オン)@VGS、 私D: 7.5mΩ@5V、50mA

Vgs(th)@Id: 1V@250μA


製品詳細

我々の利点
中国の製造プロセスは何年にもわたって反復され、その結果、成熟した信頼性の高い技術が生まれました。多くの国際企業は中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% において主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、高い品質の一貫性、リーズナブルな価格、豊富な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、そして専門的なアフターサービスを誇ります。 


概要

2N7002DW Nチャネル拡張 MOSFET 高効率スイッチングおよび制御アプリケーション向けに設計されており、コンパクトな SOT-363 パッケージで優れたパフォーマンスを提供します。高電圧機能、低オン抵抗、信頼性の高い電流処理を備えた 2N7002DW は、スペースの制約と効率的な電力管理が重要な民生用および産業用電子機器の両方に最適です。


特徴

● ローサイドスイッチングおよび制御タスクに最適で、効率的な電力処理により信頼性の高いパフォーマンスを提供します。

● 最大 60V のドレイン-ソース電圧に耐えることができ、中電圧から高電圧耐性を必要とするアプリケーションに適しています。

● 最大 1A の連続ドレイン電流をサポートし、さまざまな中電流アプリケーションに適しています。

● ゲート-ソース電圧7.5V、ドレイン電流5Aで50mΩの低オン抵抗を実現し、電力損失と発熱を最小限に抑えながら効率的なスイッチングを実現します。

● ドレイン電流 1μA で 250V のゲート-ソースしきい値電圧を提供し、比較的低いゲート駆動電圧で効果的なスイッチングを可能にします。

● コンパクトな SOT-363 フットプリントにパッケージ化されており、ボード面積を最小限に抑える必要があるスペースが限られた設計に最適です。


アプリケーション

● ローサイドスイッチング:高効率と信頼性の高いパフォーマンスが求められるローサイドスイッチングアプリケーションに適しています。

● 電源管理: 電源管理回路に効果的で、効率的な電力処理と発熱の低減を実現します。

● 民生用電子機器: スペース効率と高性能が重要となるさまざまな民生用電子機器に最適です。




2N7002DW SOT-363_0.jpg


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