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● 強化モード
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製品概要
| VDS | 240 | V |
| RDS(ON)最大 | 14 | Ω |
| ID | 0.1 | A |
| ファイル名 | Title | 詳細説明 |
|---|---|---|
| 已压缩-BSS131-SOT-23.pdf | （已压缩）BSS131 SOT-23 | - |
| 提案65コンプライアンスレポート_1.pdf | 提案65コンプライアンスレポート_1 | - |
| 提案65コンプライアンスレポート_2.pdf | 提案65コンプライアンスレポート_2 | - |
| REACH.pdf | REACH規則 | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS指令 | - |
● トレンチFETパワーMOSFET ● 低RDS(ON) ● 表面実装パッケージ
● 低オン抵抗RDS(ON) ● 低ゲート閾値電圧 ● 低入力容量
● 省スペース設計。● 効率的な操作。● 小信号スイッチングアプリケーションに最適です。
● 高出力・高電流処理能力 ● 鉛フリー製品を取得 ● 表面実装パッケージ ● RoHS準拠
● 極めて低いRDS(ON)を実現する超高設計● RoHS指令に完全準拠● SOT23-3パッケージ設計
● 超低Rdsonを実現する高密度セル設計● アバランシェ電圧と電流を完全に特性評価● 優れた放熱性を実現する優れたパッケージ
● トレンチ パワー MV MOSFET テクノロジー。● 電圧制御小信号スイッチ。● 低入力容量。
● 高電流処理能力 ● 低オン抵抗 ● 信頼性の高いスイッチング
